可易亚产品目录包括：场效应管、快恢复管、三端稳压管、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管等。

可易亚应用方案涵盖绿色照明领域、交通运输领域、家用电器领域、新型科技领域、传统工业领域等。

KIA半导体推出碳化硅二极管（SiC diode）为了满足严格的最新效率规范（能源之星、80Plus、欧洲能源效率）的要求，电源设计者必须考虑使用新型功率转换器拓扑和效率更高的电子元件，例如高压碳化硅（SiC）二极管。

KIA半导体的SiC二极管利用了碳化硅出色的物理特性，其动态反向恢复特性比硅好4倍、正向导通电压VF比它低15%。

在硬开关应用中，比如高端服务器和通讯电源，SiC二极管大幅降低了功率损耗，并且得到了广泛使用。

它们还越来越多地被应用到太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）和电动车（EV）之中。

KIA半导体推出了全套SiC二极管，其电压范围为600 ~ 1700 V。

这些产品提供多种封装选项，让设计者能够灵活提高效率和可靠性，加快产品面市步伐，削减成本。

KIA半导体推出碳化硅场效应管（SiC-MOSFET）随着节能意识几乎在所有的领域持续高涨，在高电压工业设备领域中，可实现节能并支持高电压的功率半导体和电源IC应用也越来越广泛。

其中，与现有的Si功率半导体相比，可支持更高电压、有助于实现小型化且更加节电的SiC功率半导体备受瞩目。

碳化硅（SiC）是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。

其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。

与Si相 比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。

大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。